影響硅光電二極管使用的九個問題

硅光電二極管簡稱Si PD，是一種應用非常廣泛的光探測器件，作為Si PD市場的深度玩家，濱松具有上千種Si PD型號，不僅涵蓋了從紫外到近紅外直至太赫茲區域等寬廣的波長范圍，而且金屬、陶瓷、塑料封裝到表面貼裝等各種封裝類型一應俱全。

下面是有關Si PD被問及次數最高的9個問題。

圖1 S2386系列產品展示

溫度對Si PD光譜響應度的影響？

圖2 PD光譜響應及不同波長下的溫度效應

1. 假設Si PD直徑10mm，入射光功率相同，光斑3mm和5mm輸出光電流相同嗎？

在二極管局部不飽和的情況下，同時光斑大小在二極管感光面80%以下，輸出光電流和光斑大小無關。

最大的短路電流為mA級，可以參考S1133。

1. 半導體元器件封裝特點？

圖3 PD的不同封裝形式

圖4 PD不同封裝的特點

正常使用的條件下，Si PD的壽命基本可以認為非常長。然而，某些場景下可能使其受到的光、電、機械或熱應力等超過規定的范圍，因此限制其使用壽命。

以S5106為例，理論計算的MTTF如下：

反向偏壓情況下耗盡層寬度增加，結電容變小，響應度會相應提高，但是暗電流會變大；無偏壓狀態下暗電流能控制到很小，但是其余屬性不如有反向偏壓的情況。